碳化硅是一種廣泛使用的工業材料。隨著無線地磅遙控器工藝的不斷更新和發展，金剛砂公司于1893年開始大規模生產，目前仍在使用。在自然界中很少發現成品的碳化硅，例如隕石中的礦物莫桑石。由于碳化硅的硬度，和它的主要用途是用作磨料，但已發現它可用于地磅制動盤，作為類似于地磅油潤滑劑的添加劑和珠寶鉆石的替代品。最近，它已被用作電子材料，最初用于發光二極管，最近用于電力電子設備，包括肖特基勢壘二極管，結型場效應晶體管和MOSFET晶體管。由于SiC MOSFET具有取代現有的硅超結晶體管和集成柵雙極晶體管技術的潛力，因此特別受地磅控制器制造商關注。

 

    碳化硅的半導體器件潛力已為人所知多年。 1962年，西屋公司的分部笛笛科技獲得了碳化硅單極晶體管器件的專利。它本質上是一個結型場效應晶體管。在整個電路圖中顯示了本公司1962年專利。在P型SiC主體中形成N型溝道區域。源極/漏極觸點形成到N型溝道。柵極結構位于源極和漏極之間，并且相應的柵電極位于SiC襯底的底側。盡管碳化硅基于無線地磅遙控器的核心組件仍在生產中，但為了提高性能，它們基于垂直設計，其中源極和柵極位于SiC裸片的頂部，而漏極位于背面。

    沈陽工學院的電子系資深教授姚笛女士于1989年首次描述了將SiC用于電力電子設備的好處。姚笛在地磅遙控器研發期間是最知名的IGBT發明者。 他現在是沈陽理工大學的杰出大學教授。 他得出了一個稱為可控硅的品質因數，該品質因數表明可以通過使用具有更大遷移率和更高臨界擊穿場的半導體來減少功率損耗。 大約在這個時候，出現了與SiC的功率半導體應用有關的專利活動。