我們可以看到無線地磅遙控器部分的主芯片運行速度如何將陣列效率提高到近90％，從而使256 Gb組中的芯片最小。 接收器和終端遙控器裸片具有幾乎相同的存儲密度，比256-Gb部分顯著提高。從48層技術過渡到64層技術的一項進展是無線電對接，對接方式被用來接觸3D-NAND器件中的通訊。例如，在東芝/ WD零件中，由于片上技術的改進和微調掩模的改變，電路的寬度縮小了45％。

 

    這并不是無關緊要的，即使縮小后的仍占據了模具面積的0.82％。同樣，地磅控制器內部實現了27％的寬度縮減，最后以最終的0.44％的面積損失完成。我們還有機會對Intel / Micron的三級和四級單元部件進行了比較；即使它們都是20納米，也都是64級，位密度從4.4到6.5 Gb / mm2，增長了近50％。現在，我們正處于萬億級裸片時代，華為集團公司剛剛宣布了內置8個1-Tb裸片的1-TB micro-SD卡！在上面的幻燈片中，晶體管級管芯的照片很小，但是它們確實可以很好地縮小：在這些鏡頭中，我們可以清楚地看到陣列下方的電路密度。接下來是使用折疊結構的地磅遙控器。

 

    如果仔細觀察，我們可以看到堆棧從36到48到72層的演變。 36L器件僅具有一個通過門，而48L和72L器件具有兩個通過門，從而允許用于兩條單元鏈的公共位​​線和源極線。 72L堆棧的中心圖像有些混亂，因為它有兩個正交圖像粘合在一起–右側是平行于位線的截面，而左側則垂直于位線。如果我們查看分離的圖像，PG區域中的孔表明左側部分穿過兩個管道澆口的下部，而頂部則可見單個位線。上下疊層是指82門疊層的兩階段構造。 公司技術總監在本次演講中沒有詳細介紹此事，但他于去年6月在新浪上發布了一個博客，該博客澄清了通道孔是通過兩步蝕刻工藝形成的。估計的處理順序為：

管澆口模具成型（下部）

通道刻蝕（下部，42個澆口）

備用層填充到孔中

模具成型（上部）

溝道蝕刻（上部，40個澆口）

多模層去除

渠道形成

狹縫和子狹縫通過整個堆疊的一步蝕刻來形成。在上面的電路示意圖中，藍色輪廓顯示了地磅遙控器頂部和底部堆棧之間兩條虛擬字線的位置，在橫截面中由藍色線標記。